Skip to content

HƯỚNG DẪN MUA HÀNG qua Điện thoại / Email

Website đang trong giai đoạn xây dựng. Thông tin liên hệ: tổng đài 0898.332.898 hoặc E-mail: Sales@nguyenxuong.com

HƯỚNG DẪN MUA HÀNG qua Điện thoại / Email

. Thông tin liên hệ: tổng đài 0898.332.898 hoặc E-mail: Sales@nguyenxuong.com

Discrete Semiconductors > MOSFETs

SI4900DY-T1-GE3 Dual N-Channel MOSFET, 4.3 A, 60 V, 8-Pin SOIC Vishay [SI4900DY-T1-GE3]; 710-3364

by Vishay
0₫
(Giá chưa VAT).
Mã kho: 7103364

Mã nhà sản xuất: SI4900DY-T1-GE3

Liên hệ để có giá tốt (Vietnam: 0898.332.898,  E-mail: SKF@nguyenxuong.com)

THÔNG SỐ KỸ THUẬT
Channel Type N
Maximum Continuous Drain Current 4.3 A
Maximum Drain Source Voltage 60 V
Package Type SOIC
Mounting Type Surface Mount
Pin Count 8
Maximum Drain Source Resistance 58 mΩ
Channel Mode Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage 1V
Maximum Power Dissipation 2 W
Transistor Configuration Isolated
Maximum Gate Source Voltage -20 V, +20 V
Number of Elements per Chip 2
Length 5mm
Maximum Operating Temperature +150 °C
Height 1.55mm
Typical Gate Charge @ Vgs 13 nC @ 10 V
Transistor Material Si
Width 4mm
Minimum Operating Temperature -55 °C