Skip to content

HƯỚNG DẪN MUA HÀNG qua Điện thoại / Email

Website đang trong giai đoạn xây dựng. Thông tin liên hệ: tổng đài 0898.332.898 hoặc E-mail: Sales@nguyenxuong.com

HƯỚNG DẪN MUA HÀNG qua Điện thoại / Email

. Thông tin liên hệ: tổng đài 0898.332.898 hoặc E-mail: Sales@nguyenxuong.com

Discrete Semiconductors > MOSFETs

IRFB3307PBF N-Channel MOSFET, 120 A, 75 V HEXFET, 3-Pin TO-220AB Infineon [IRFB3307PBF]; 865-5800

0₫
(Giá chưa VAT).
Mã kho: 8655800

Liên hệ để có giá tốt (Vietnam: 0898.332.898,  E-mail: SKF@nguyenxuong.com)

THÔNG SỐ KỸ THUẬT
Channel Type N
Maximum Continuous Drain Current 120 A
Maximum Drain Source Voltage 75 V
Package Type TO-220AB
Mounting Type Through Hole
Pin Count 3
Maximum Drain Source Resistance 6.3 mΩ
Channel Mode Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage 4V
Minimum Gate Threshold Voltage 2V
Maximum Power Dissipation 200 W
Transistor Configuration Single
Maximum Gate Source Voltage -20 V, +20 V
Number of Elements per Chip 1
Width 22.86mm
Height 4.82mm
Series HEXFET
Maximum Operating Temperature +175 °C
Length 10.66mm
Transistor Material Si
Typical Gate Charge @ Vgs 120 nC @ 10 V
Minimum Operating Temperature -55 °C