Skip to content
Website đang trong giai đoạn xây dựng. Thông tin liên hệ: tổng đài 0898.332.898 hoặc E-mail: Sales@nguyenxuong.com
Website đang trong giai đoạn xây dựng. Thông tin liên hệ: tổng đài 0898.332.898 hoặc E-mail: Sales@nguyenxuong.com

IPB042N10N3GATMA1 N-Channel MOSFET, 100 A, 100 V OptiMOS 3, 3-Pin D2PAK Infineon [IPB042N10N3GATMA1]; 124-8768

0₫
SKU 1248768

Mã nhà sản xuất: IPB042N10N3GATMA1

Đơn vị tính: Reel

THÔNG SỐ KỸ THUẬT
Channel Type N
Maximum Continuous Drain Current 100 A
Maximum Drain Source Voltage 100 V
Package Type D2PAK (TO-263)
Mounting Type Surface Mount
Pin Count 3
Maximum Drain Source Resistance 7.4 mΩ
Channel Mode Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage 3.5V
Minimum Gate Threshold Voltage 2V
Maximum Power Dissipation 214 W
Transistor Configuration Single
Maximum Gate Source Voltage -20 V, +20 V
Number of Elements per Chip 1
Length 10.31mm
Maximum Operating Temperature +175 °C
Series OptiMOS 3
Height 4.57mm
Typical Gate Charge @ Vgs 88 nC @ 10 V
Width 9.45mm
Transistor Material Si
Minimum Operating Temperature -55 °C