Skip to content

HƯỚNG DẪN MUA HÀNG qua Điện thoại / Email

Website đang trong giai đoạn xây dựng. Thông tin liên hệ: tổng đài 0898.332.898 hoặc E-mail: Sales@nguyenxuong.com

HƯỚNG DẪN MUA HÀNG qua Điện thoại / Email

. Thông tin liên hệ: tổng đài 0898.332.898 hoặc E-mail: Sales@nguyenxuong.com

Discrete Semiconductors > MOSFETs

IXFN420N10T N-Channel MOSFET, 420 A, 100 V GigaMOS Trench HiperFET, 4-Pin SOT-227 IXYS [IXFN420N10T]; 125-8043

by IXYS
0₫
(Giá chưa VAT).
Mã kho: 1258043

Liên hệ để có giá tốt (Vietnam: 0898.332.898,  E-mail: SKF@nguyenxuong.com)

THÔNG SỐ KỸ THUẬT
Channel Type N
Maximum Continuous Drain Current 420 A
Maximum Drain Source Voltage 100 V
Package Type SOT-227
Mounting Type Surface Mount
Pin Count 4
Maximum Drain Source Resistance 2.3 mΩ
Channel Mode Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage 5V
Minimum Gate Threshold Voltage 2.5V
Maximum Power Dissipation 1.07 kW
Maximum Gate Source Voltage -20 V, +20 V
Number of Elements per Chip 1
Width 25.07mm
Minimum Operating Temperature -55 °C
Series GigaMOS Trench HiperFET
Maximum Operating Temperature +175 °C
Length 38.23mm
Forward Diode Voltage 1.2V
Typical Gate Charge @ Vgs 670 nC @ 10 V
Height 9.6mm