Skip to content

HƯỚNG DẪN MUA HÀNG qua Điện thoại / Email

Website đang trong giai đoạn xây dựng. Thông tin liên hệ: tổng đài 0898.332.898 hoặc E-mail: Sales@nguyenxuong.com

HƯỚNG DẪN MUA HÀNG qua Điện thoại / Email

. Thông tin liên hệ: tổng đài 0898.332.898 hoặc E-mail: Sales@nguyenxuong.com

Discrete Semiconductors > MOSFETs

IRF630NPBF N-Channel MOSFET, 9.3 A, 200 V HEXFET, 3-Pin TO-220AB Infineon [IRF630NPBF]; 543-0068

0₫
(Giá chưa VAT).
Mã kho: 5430068

Mã nhà sản xuất: IRF630NPBF

Đơn vị tính: Each

Liên hệ để có giá tốt (Vietnam: 0898.332.898,  E-mail: SKF@nguyenxuong.com)

THÔNG SỐ KỸ THUẬT
Channel Type N
Maximum Continuous Drain Current 9.3 A
Maximum Drain Source Voltage 200 V
Package Type TO-220AB
Mounting Type Through Hole
Pin Count 3
Maximum Drain Source Resistance 300 mΩ
Channel Mode Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage 4V
Minimum Gate Threshold Voltage 2V
Maximum Power Dissipation 82 W
Transistor Configuration Single
Maximum Gate Source Voltage -20 V, +20 V
Number of Elements per Chip 1
Height 8.77mm
Series HEXFET
Maximum Operating Temperature +175 °C
Length 10.54mm
Width 4.69mm
Transistor Material Si
Typical Gate Charge @ Vgs 35 nC @ 10 V
Minimum Operating Temperature -55 °C