Skip to content

HƯỚNG DẪN MUA HÀNG qua Điện thoại / Email

Website đang trong giai đoạn xây dựng. Thông tin liên hệ: tổng đài 0898.332.898 hoặc E-mail: Sales@nguyenxuong.com

HƯỚNG DẪN MUA HÀNG qua Điện thoại / Email

. Thông tin liên hệ: tổng đài 0898.332.898 hoặc E-mail: Sales@nguyenxuong.com

Discrete Semiconductors > MOSFETs

IPG20N06S4L26ATMA1 Dual N-Channel MOSFET, 20 A, 60 V OptiMOS, 8-Pin TDSON Infineon [IPG20N06S4L26ATMA1]; 166-0823

0₫
(Giá chưa VAT).
Mã kho: 1660823

Liên hệ để có giá tốt (Vietnam: 0898.332.898,  E-mail: SKF@nguyenxuong.com)

THÔNG SỐ KỸ THUẬT
Channel Type N
Maximum Continuous Drain Current 20 A
Maximum Drain Source Voltage 60 V
Package Type TDSON
Mounting Type Surface Mount
Pin Count 8
Maximum Drain Source Resistance 46 mΩ
Channel Mode Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage 2.2V
Minimum Gate Threshold Voltage 1.2V
Maximum Power Dissipation 33 W
Transistor Configuration Isolated
Maximum Gate Source Voltage -16 V, +16 V
Number of Elements per Chip 2
Minimum Operating Temperature -55 °C
Width 5.9mm
Transistor Material Si
Height 0.75mm
Series OptiMOS
Maximum Operating Temperature +175 °C
Length 5.15mm
Typical Gate Charge @ Vgs 15 nC @ 10 V
Forward Diode Voltage 1.3V