Skip to content

HƯỚNG DẪN MUA HÀNG qua Điện thoại / Email

Website đang trong giai đoạn xây dựng. Thông tin liên hệ: tổng đài 0898.332.898 hoặc E-mail: Sales@nguyenxuong.com

HƯỚNG DẪN MUA HÀNG qua Điện thoại / Email

. Thông tin liên hệ: tổng đài 0898.332.898 hoặc E-mail: Sales@nguyenxuong.com

Discrete Semiconductors > MOSFETs

IRF640NSTRLPBF N-Channel MOSFET, 18 A, 200 V HEXFET, 3-Pin D2PAK Infineon [IRF640NSTRLPBF]; 831-2853

0₫
(Giá chưa VAT).
Mã kho: 8312853

Mã nhà sản xuất: IRF640NSTRLPBF

Đơn vị tính: Pack

Liên hệ để có giá tốt (Vietnam: 0898.332.898,  E-mail: SKF@nguyenxuong.com)

THÔNG SỐ KỸ THUẬT
Channel Type N
Maximum Continuous Drain Current 18 A
Maximum Drain Source Voltage 200 V
Package Type D2PAK (TO-263)
Mounting Type Surface Mount
Pin Count 3
Maximum Drain Source Resistance 150 mΩ
Channel Mode Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage 4V
Minimum Gate Threshold Voltage 2V
Maximum Power Dissipation 150 W
Transistor Configuration Single
Maximum Gate Source Voltage -20 V, +20 V
Number of Elements per Chip 1
Width 9.65mm
Transistor Material Si
Minimum Operating Temperature -55 °C
Series HEXFET
Typical Gate Charge @ Vgs 67 nC @ 10 V
Length 10.67mm
Height 4.83mm
Maximum Operating Temperature +175 °C